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サーモリフレクタンス法を用いた
カルコゲナイド相変化材料の熱物性評価


次世代の不揮発性メモリ技術として相変化メモリ（Phase-change memory: PCM）に注目が集まっています。現在、Ge2Sb2Te5（GST）などのカルコゲナイド系化合物が相変化材料として広く用いられており、熱励起を制御することでアモルファスから結晶へと素早く相変化することがその特徴です。相変化メモリは従来のフラッシュメモリと比べて、高速化、デバイス寿命、記憶容量の向上が期待されています。


相変化材料の熱特性を理解することは、高性能で信頼性の高いPCMデバイスを設計するために重要です。とくに、薄膜材料の厚みがエネルギーキャリアの平均自由行程と同程度の場合、界面の熱抵抗やバリスティックな熱輸送がデバイスの性能に影響を与える可能性があるため、慎重に評価する必要があります。サーモリフレクタンス法は薄膜材料の様々な熱特性を測定できるため、PCMの開発において重要な役割を果たすことが期待されています。


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このページでダウンロードできるPapersPicks 『サーモリフレクタンス法を用いたカルコゲナイド相変化材料の熱物性評価』では、クリエイティブ・コモンズのCC BYラインセンスが付与された学術論文のなかから、以下のトピックスを紹介しています。


  • GST薄膜を加熱・冷却することにより生じた相転移に伴う熱伝導率変化のTDTR測定。
  • SeTeおよびSiTeの原子間ネットワークが熱伝導率に及ぼす影響のTDTRを用いた評価。
  • TDTRを用いた非晶質および結晶質Ge2Sb2Se4Te (GSST) 薄膜の体積熱容量の測定。
  • 厚さの異なるGSST膜の熱伝導率に対して界面熱抵抗が及ぼす影響のTDTRによる評価。

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（2022年7月）