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- Application note
- No. SEN001-IFCF-20230315-001-JP
公開日：2023年3月24日
周波数領域サーモリフレクタンス法を用いたアモルファス Ge1-xSnx 薄膜の熱伝導率の測定
- キーワード
- 半導体
- ナノテクノロジー
- 周波数領域サーモリフレクタンス法
- InFocus BB-FDTR
Sn 組成の異なるアモルファス Ge1-xSnx 薄膜の熱伝導率を周波数領域サーモリフレクタンス法（FDTR）を用いて測定しました。その結果、アモルファス Ge1-xSnx 薄膜の熱伝導率は Sn組成が６％から 13%へ増加するにつれて 0.50 W/mK から 0.44 W/mK に減少し、最小熱伝導率モデルで計算されるアモルファス限界値とよく合致する傾向を示すことが分かりました。
